Программа двумерного приборно-технологического моделирования
Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах, анализ влияния параметров
Программа позволяет моделировать сам процесс изготовления интегральных схем, предназначена для глубокого анализа и оптимизации приборов и отдельных операций технологических процессов для полупроводниковых производств
ПО моделирует физическое поведение полупроводниковых устройств и технологических процессов
Интегрированные средства моделирования позволяют выявить потенциальные проблемы и оптимизировать параметры техпроцесса, что снижает затраты и ускоряет выход на рынок новых продуктов
Продукт находится в разработке. Для пробного тестирования вы можете:
| 01 | 1D и 2D-моделирование процесса ионной имплантации основных примесей, процесса окисления Si c учетом и без учета влияния маски, процесса отжига, диффузии примеси, с учетом влияния среды |
| 02 | Эмуляция процессов нанесения и травления материалов на Si-подложку с имеющимся рельефом |
| 03 | Расчет статических ВАХ 1D- и 2D-кремниевых полупроводниковых приборов с учетом влияния температуры среды, включая область лавинного пробоя |
| 04 | Расчет ВФХ 1D- и 2D-кремниевых полупроводниковых приборов с учетом влияния температуры среды |
| 05 | Расчет временных зависимостей 1D- и 2D-кремниевых полупроводниковых приборов с учетом влияния температуры среды |
| 06 | Отображение 1D- и 2D- распределений примесей, границ материалов и расчётной сетки, полученной в результате моделирования технологических процессов и приборов |
| 07 | Отображение рассчитанных ВАХ и ВФХ |
| 08 | Поддержка отечественных КМОП-технологий с проектными нормами до 0.13 мкм |